收藏本站
NTMFS4701N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
2000 C iss
1500
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
10
8
6
V GS
QT
1000
C rss
4 Q GS
Q GD
500
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
C oss
C rss
25
2
0
0
2
4
I D = 20 A
T J = 25 ° C
6 8 10 12 14 16 18 20
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
22
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t d(on)
t r
10
8
6
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
280
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
240
I D = 7.5 A
10
100 m s
1 ms
200
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
160
120
80
40
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTMFS4707NT3G MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8 FL
NTMFS4708NT3G MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8 FL
NTMFS4744NT1G MOSFET N-CH 30V 7A SO8 FL
NTMFS4821NT3G MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
NTMFS4823NT3G MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL
NTMFS4825NFET3G MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL
NTMFS4833NST1G MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
NTMFS4833NT3G MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
相关代理商/技术参数
NTMFS4707N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions
NTMFS4707NT1G 功能描述:MOSFET 30V 17A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4707NT3G 功能描述:MOSFET 30V 17A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4708N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 19 A, Single N-Channel, SOIC-8 FL
NTMFS4708NT1G 功能描述:MOSFET 30V 19A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4708NT3G 功能描述:MOSFET 30V 19A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4709N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 94 A, Single N-Channel, SOIC-8 FL
NTMFS4709NT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述: